小型烘箱在光刻过程中的应用

小型烘箱的用途很广，在很多的实验中也都有用到，现在就讲一讲小型烘箱在光刻过程中的应用！以下是光刻工序的流程图！

光刻工序需要多步流程，如下图所示：

1.涂光刻胶

在涂光刻胶之前，将清洗干净的硅片表面涂上附着性增强剂或将硅片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与硅片之间的粘附性，防止显影时光刻胶的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧向腐蚀。

光刻胶的涂覆使用甩胶机来进行的。首先，用真空吸法将硅片吸在甩胶机的吸盘上，将有一定粘度的光刻胶滴在鬼片的表面上，然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用，光刻胶在硅片表面被均匀的展开，多余的光刻胶被甩掉，获得一定厚度的光刻胶膜。光刻胶的厚度是由光刻胶的粘度和甩胶机的转速来控制的！

2.预烘干

由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80摄氏度左右的小型烘箱中进行烘干，小型烘箱是惰性气体的环境，烘干时间一般是15-30分钟，以便除去光刻胶中的溶剂。

3.掩模对准

由于集成电路制作过程是逐层加工的，各层之间图形的位置不能错位，所以每次光刻时都要讲掩膜板与硅片上的对中记号对准，以确保掩膜板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准

4.曝光

将高压水银灯G线（波长为436nm）或I线（波长为365nm）通过掩膜照射在硅片上的感光胶上，使光刻胶获得与掩膜图形相同的感光图形！

5.显影

将曝光后的硅片浸泡到特定的显影液中，并控制时间使得未曝光的部分被溶解掉，从而将图形复制到光刻胶上，显影后的图像受到显影液的影响，显影后的硅片需要用纯净水进行清洗！

6.后烘干
为了使残留在光刻胶中的有机溶液挥发掉，提高光刻胶的粘结性及光刻胶的耐腐蚀性，通常将硅片放在120-200摄氏度的小型烘箱，而将硅片放在120度到200度的温度下烘干20-30分钟

以上就是小型烘箱在光刻过程中的作用了！